科技权杖 第二十六章 鱼儿上钩了

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布雷迪将展开在手里的纸条翻来覆去的看了一遍又一遍，整个脸部不断抽动的表情仿佛想知道这到底是不是上帝在和自己开一个国际大玩笑。

接受完各方的额祝贺，反应过来的小林宏志才想到了要和即将入手的研究所核心人物见个面打个招呼，向其表达一下自己的友善，但是这四处一看，哪还能找得到人……

今天这一个夜晚，注定对于有些人来说是个不眠之夜，小林宏志、井深大及小田中村次郎回到酒店继续欢庆，布雷迪却是苦逼的睡在床上翻来覆去无法入眠，连带着这一夜他的妻子艾连娜也无法象往常那样睡个好觉。

第二天一早，匆忙的洗漱过后，布雷迪顾不得坐下来和妻子一起享用早餐，在餐桌上仅仅抓了两块面包大口喝了一杯牛奶，就顶着他那双熊猫眼往姚飞酒店的房间赶去。

每一个对于科学研究有着执着追求的专家教授都有一个同样而致命的软肋，那就是对于任何高尖端技术的抵抗力几乎为零。

当时姚飞也是想到这个原因，外加抓住布雷迪迫切需要向科学界证明自己的想法，给了姚飞引诱布雷迪脱离研究所为自己工作的想法，接下来的事情就简单了，单晶硅的磁控直拉技术、连续生长技术甚至悬浮区熔法，姚飞这里应有尽有。

正在整理昨晚写出资料姚飞，听见敲门声响起打开门之后，看见站在门外的布雷迪教授顶着一双大大的熊猫眼，就知道事情基本上已经成了，只要锄头舞的好，哪有墙角挖不倒，真是金玉良言啊！

“布雷迪教授，早上好，自我介绍一下，我是姚飞，请进！”

就等你呢，既然来了，当然没有理由让人家在门外说话，不礼貌不说还不方便。

“谢谢。”

布雷迪没说什么，谢了一声跟着进了房间。

“姚先生，你说你掌握单晶硅制造的各种方法，其中包括磁控直拉技术、连续生长技术以及区熔法，请问真的是这样吗？”

一坐下来，布雷迪立马急切的向姚飞询问道。

“是的教授，这些技术的原理我都知晓，这些技术方法都已经经过我实验论证，只等进一步用于实践的生产之中……”

大鱼上钩了，喜欢钓鱼的人都知道，咬钩了千万别立马拎杆，这样鱼线很容易被大鱼给背断的。

这个时候，必须要放长线，让其在水中不断冲来冲去，直到鱼精疲力尽的时候，自然就可以非常轻松的拖上岸。

姚飞先前的想法就是先用技术诱惑他，扰乱他的心神，然后再让其心理挣扎个那么一会，进而等到对方来找自己时，再向对方抛出自己的橄榄枝，至于对方上不上钩，那就要看对方对于技术的执着度了，而以姚飞昨天的所见所闻，对方不上钩的可能性不大。

“姚先生，能不能向您请教一下单晶硅技术，为什么原来我们研究所生产的单晶硅纯度才能达到98.97%，却是依然达不到市场的标准纯度的99.9%？”

布雷迪明显是个实干派，听姚飞说他有技术，立马就呼啦一下就问上了。

“不知道教授之前采用的是何种生长技术，以及单晶硅棒生长中一些操作能给我细节介绍一下吗？”

“没问题，我之前使用的也是直拉法生长技术。

通过强电阻加热，将装在石英坩埚中的多晶硅熔化，并保持略高于硅熔点的温度，然后将籽晶浸入熔体，再以一定速度向上提拉籽晶并同时旋转引出晶体；

然后控制晶体的延伸，并将其控制到所需要的直径，上下正反方向旋转拉扯，控制晶体等径生长到所需长度，最后再收尾，待晶体冷却便将其取出。”

布雷迪详细的介绍了一下他制造单晶硅的流程，基本上是按照之前的直拉法单晶硅制造工艺流程来的，这也是目前单晶硅产业内的通用制造方法。

“我知道了，教授刚才所描述的方法基本上是没什么大问题的，但是有几个小问题不知道教授在实际生产操作中有没有考虑到。

一是采用直拉法时，引晶阶段的熔体高度最高，而裸露坩埚壁的高度最小，在晶体生长过程直到收尾阶段。

这个过程裸露坩埚壁的高度不断增大，这样造成生长条件不断变化包括熔体的对流、热传输、固液界面形状等，即整个晶棒从头到尾经历不同的受热状况，头部受热时间最长，尾部最短，这样肯定会造成晶体轴向、径向杂质分布不均匀。

同时在直拉法中，氧含量及其分布是非常重要，但是氧含量又是难以控制的参数，这主要是熔体中的热对流加剧了熔融硅与石英坩锅的作用，即坩锅中的o2、B、al等杂质易于进入熔体和晶体，最后就造成了出炉的单晶硅棒杂质含量过高。”

产生的问题这对于姚飞来说压根就没什么好隐瞒的，解决产生问题的技术才是关键，接着他又将传统的单晶硅直拉生产技术中容易出现的问题跟布雷迪大致介绍了一遍。

“那姚先生所说的磁控直拉技术便是针对这方面的改进？”

布雷迪这个时候哪有平时那副全能全知的教授气度，完全是个懵懂的小学生，正一脸满怀期待的表情等待着姚飞的回答。

“不错，磁控直拉生长技术便是对传统的直拉生长技术的改进，此技术改进减少了熔体中的温度波度。

目前直拉法中固液界面附近熔体中的温度波动可以达到10c以上，而如果施加一个0.2T的磁场，那这个温度波动就会小于1c。

这样可以明显提高晶体中杂质分布的均匀性，同时晶体的径向电阻分布均匀性也可以得到提高；

这样一来，就可以降低单晶中的缺陷密度，减少杂质的进入，也就提高了晶体的纯度。

这是由于在磁场作用下，熔融硅与坩锅的作用减弱，使坩锅中的杂质较少进入熔体和晶体。

将磁场强度与晶体转动、坩锅转动等工艺参数结合起来，可有效控制晶体中氧浓度的变化；由于磁粘滞性，使扩散层厚度增大，可提高杂质纵向分布均匀性；有利于提高生产率。

采用磁控直拉技术，如用水平磁场，当生长速度为一般直拉法两倍时，仍可得到质量较高的晶体，对于大规模批量生产简直就是福音。”

对于这个磁控直拉技术，姚飞也没有藏私，将改进方法和一些改进参数告诉了布雷迪……

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